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RQ3E150BN	文件：2.6993 Mbytes Page：12 Pages	丝印：E150BN；Package：HSMT8；Nch 30V 15A Middle Power MOSFET 文件：2.6993 Mbytes 页数：12 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RQ3E150GN	文件：2.51217 Mbytes Page：13 Pages	Nch 30V 39A Middle Power MOSFET 文件：2.51217 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RQ3E150MN	文件：621.76 Kbytes Page：11 Pages	Nch 30V 15A Power MOSFET 文件：621.76 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RQ3E150BN	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 30V 15A 中功率MOSFET RQ3E150BN是大功率封装（HSMT8）的中功率MOSFET。 • Low on - resistance.\n• High Power Package (HSMT8).\n• Pb-free lead plating; RoHS compliant.\n• Halogen Free;	ROHM 罗姆	ROHM
RQ3E150GN	文件：300 bytes Page：1 Pages	4.5V驱动型 Nch MOSFET 场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容，可满足多样的市场需求。 • Low on - resistance.\n• High Power Package (HSMT8).\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• Halogen Free;	ROHM 罗姆	ROHM
RQ3E150MN	文件：300 bytes Page：1 Pages	4.5V Drive Nch MOSFET ・4.5V驱动型 Nch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
HSMT8
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
HSMT8 (3.3x3.3)
Applications：
Switching
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
39
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0053
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0038
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0053
Total gate charge Qg[nC]：
23
Power Dissipation (PD)[W]：
17
Drive Voltage[V]：
4.5
Mounting Style：
Surface mount
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
3.3x3.3 (t=0.8)

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更多RQ3E15供应商更新时间2025-12-23 18:08:00

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