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RQ3E120GN

4.5V驱动型 Nch MOSFET

场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容,可满足多样的市场需求。 • Low on - resistance.\n• High Power Package (HSMT8).\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• Halogen Free;

ROHM

罗姆

RQ3E120GN

Nch 30V 27A Power MOSFET

文件:2.56251 Mbytes 页数:14 Pages

ROHM

罗姆

RQ3E120AT

Pch -30V -39A Power MOSFET

文件:2.629 Mbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RQ3E120BN

Nch 30V 12A Middle Power MOSFET

文件:2.6761 Mbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    HSMT8

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    HSMT8 (3.3x3.3)

  • Applications:

    Power Supply

  • Number of terminal:

    8

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    30

  • Drain Current ID[A]:

    27

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    0.0091

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.0067

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.0091

  • Total gate charge Qg[nC]:

    4.8

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    15

  • Drive Voltage[V]:

    4.5

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Bare Die Part Number:

    Available

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    3.3x3.3 (t=0.8)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RQ3E120GN供应商 更新时间2026-1-30 11:48:00