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RQ3E120AT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -30V -12A 中功率MOSFET RQ3E120AT是适用于开关用途的小型大功率封装的中功率MOSFET。 · Low on - resistance.\n· High Power Small Mold Package (HSMT8).\n· Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n· Halogen Free;	ROHM 罗姆	ROHM
RQ3E120AT	文件：2.629 Mbytes Page：13 Pages	Pch -30V -39A Power MOSFET 文件：2.629 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RQ3E120BN	文件：2.6761 Mbytes Page：12 Pages	Nch 30V 12A Middle Power MOSFET 文件：2.6761 Mbytes 页数：12 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RQ3E120GN	文件：2.56251 Mbytes Page：14 Pages	Nch 30V 27A Power MOSFET 文件：2.56251 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
HSMT8
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
HSMT8 (3.3x3.3)
Applications：
Switching
Number of terminal：
8
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-30
Drain Current ID[A]：
-39
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0087
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0061
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0087
Total gate charge Qg[nC]：
33
Power Dissipation (PD)[W]：
20
Drive Voltage[V]：
-4.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
3.3x3.3 (t=0.8)

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更多RQ3E120AT供应商更新时间2026-2-3 15:08:00

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