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ZXTNS618MCTA	文件：270.82 Kbytes Page：10 Pages	20VNPNLOWSATURATIONTRANSISTORAND40V,1ASCHOTTKYDIODECOMBINATIONDUAL FeaturesandBenefits NPNTransistor •BVCEO>20V •IC=4.5AContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(150mVmax@1A) •RSAT=47mΩforalowequivalentOn-Resistance •hFEcharacterizedupto6Aforhighcurrentgainholdup SchottkyDiode •BVR>40V	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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ZXTNS618MCTA

文件：270.82 Kbytes

Page：10 Pages

20VNPNLOWSATURATIONTRANSISTORAND40V,1ASCHOTTKYDIODECOMBINATIONDUAL

FeaturesandBenefits NPNTransistor •BVCEO>20V •IC=4.5AContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(150mVmax@1A) •RSAT=47mΩforalowequivalentOn-Resistance •hFEcharacterizedupto6Aforhighcurrentgainholdup SchottkyDiode •BVR>40V

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达尔科技

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更多ROWA618供应商更新时间2024-6-3 10:08:00

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