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NTTFS4985NF	文件：126.29 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET30V,64A,SingleN?묬hannel,WDFN8 PowerMOSFET 30V,64A,SingleN−Channel,WDFN8 Features •IntegratedSchottkyDiode •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Applications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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RN4985	文件：152.77 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)SiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuit ●AEC-Q101Qualified(Note1) ●IncludingtwodevicesinUS6(ultrasuperminitypewith6leads) ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocessandminiaturizeeq	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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SZN4985	文件：204.54 Kbytes Page：3 Pages	6.8??390VOLTSZENERDIODES FEATURES: •HermeticallyGlassSealed •HighPowerDissipation5W •TightVoltageTolerance5 •ForotherVoltage,Power,orToleranceConsultFactory. •TX,TXV,andS-LevelScreeningAvailable5/. •Replacementfor1N4954–1N4996	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

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