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NTTFS4985NF	文件：126.29 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 64 A, Single N?묬hannel, WDFN8 Power MOSFET 30 V, 64 A, Single N−Channel, WDFN8 Features • Integrated Schottky Diode • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Applications 文件：126.29 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS4985NF	文件：89.99 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：89.99 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS4985NFTAG	文件：126.29 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 64 A, Single N?묬hannel, WDFN8 Power MOSFET 30 V, 64 A, Single N−Channel, WDFN8 Features • Integrated Schottky Diode • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Applications 文件：126.29 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS4985NFTWG	文件：126.29 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 64 A, Single N?묬hannel, WDFN8 Power MOSFET 30 V, 64 A, Single N−Channel, WDFN8 Features • Integrated Schottky Diode • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Applications 文件：126.29 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS4985NF_15	文件：89.99 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：89.99 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS4985NFTAG	文件：89.99 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：89.99 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS4985NF	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道功率 MOSFET 30V，64A，3.5mΩ Power MOSFET\n30 V, 64 A, Single N−Channel, WDFN8 • Integrated Schottky Diode\n• Low rDS(on) to Minimize Conduction Loss\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.3
ID Max (A)：
64
PD Max (W)：
22.73
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
5.2
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
3.5
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
15
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
13.6
Ciss Typ (pF)：
2075
Package Type：
WDFN-8/u8FL

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