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UPA2709AGR	文件：344 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2709AGRisN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofnotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=10.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) •Lo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2709GR	文件：341.86 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2709GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconverterandpowermanagement applicationsofnotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=10.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) •Low	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2709T	文件：313.12 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=4.5to5.5V •Widebandresponse:fu=2.3GHzTYP.@3dBbandwidth •Mediumoutputpower:PO(sat)=+11.5dBm@f=1GHzwithexternalinductor •Powergain:GP=23dBTYP.@f=1GHz •Portimpedance:input/output50W	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2709T	文件：96.88 Kbytes Page：6 Pages	2.5GHzSILICONMMICWIDE-BANDAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2709T	文件：95.82 Kbytes Page：6 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPC2709TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedas1stIFamplifierforDBStuners.ThisICispackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold. TheµPC2709TBhascompatiblepinconnectionsandperformancetoµPC2709Tofconventionalm	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2709TB	文件：416.77 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2709TB	文件：320.16 Kbytes Page：14 Pages	5V,SILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIER	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2709TB	文件：95.82 Kbytes Page：6 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPC2709TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedas1stIFamplifierforDBStuners.ThisICispackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold. TheµPC2709TBhascompatiblepinconnectionsandperformancetoµPC2709Tofconventionalm	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2709TB	文件：470.97 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2709TB	文件：225.08 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •High-densitysurfacemounting:6-pinsuperminimoldpackage(2.0´1.25´0.9mm) •Widebandresponse:fu=2.3GHzTYP.@3dBbandwidth •Mediumoutputpower:PO(sat)=+11.5dBm@f=1GHzwithexternalinductor •Supplyvoltage:VCC=4.5to5.5V •Powergain:GP=23dBT	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
RN2709
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

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