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RN2501	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP×2\nInternal Connection：2-in-1 (Common emitter)\nComplementary Product：RN1501\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current (Q1) IC -0.1 A \nCollector Current (Q2) IC -0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO -50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO -50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN2501	文件：270.27 Kbytes Page：7 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：270.27 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RQK2501YGDQA	文件：138.59 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Power Switching 文件：138.59 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RQK2501YGDQA	文件：115.83 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Power Switching 文件：115.83 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RQK2501YGDQATL-E	文件：138.59 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Power Switching 文件：138.59 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

晶体管资料

型号：
RN2501
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）_差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
5
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
H-21
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.8
wtest：
0.3

技术参数

Package name：
SOT-25 (SMV)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.8 x 1.1
Number of pins：
5
Surface mount package：
Y
Polarity：
PNP x 2
Internal Connection：
2-in-1 (Common emitter)
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
4.7
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
4.7
Q1VCEO (Max)(V)：
-50
Q1IC (Max)(A)：
-0.1
Q2Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
4.7
Q2Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
4.7
Q2VCEO (Max)(V)：
-50
Q2IC (Max)(A)：
-0.1

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