RN2501中文资料Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1数据手册Toshiba规格书
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
RN2501三极管、RN2501晶体管、RN2501晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+R
- 性质：
表面帖装型 （SMD）_差分放大器射极输出 （Dual）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
0.8A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
5
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
0.3W
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-21
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
0.8
- wtest：
0.3
RN2501规格书详情
描述 Description
Application Scope：General-purpose
Polarity：PNP×2
Internal Connection：2-in-1 (Common emitter)
Complementary Product：RN1501
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Collector Current (Q1) IC -0.1 A
Collector Current (Q2) IC -0.1 A
Collector-emitter voltage (Q1) VCEO -50 V
Collector-emitter voltage (Q2) VCEO -50 V
技术参数
- 制造商编号
：RN2501
- 生产厂家
：Toshiba
- Package name
：SOT-25 (SMV)
- Width×Length×Height(mm)
：2.9 x 2.8 x 1.1
- Number of pins
：5
- Surface mount package
：Y
- Polarity
：PNP x 2
- Internal Connection
：2-in-1 (Common emitter)
- Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)
：4.7
- Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)
：4.7
- Q1VCEO (Max)(V)
：-50
- Q1IC (Max)(A)
：-0.1
- Q2Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)
：4.7
- Q2Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)
：4.7
- Q2VCEO (Max)(V)
：-50
- Q2IC (Max)(A)
：-0.1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
23+ |
SOT-153 |
8650 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
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SOT353 |
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TOSHIBA/东芝 |
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SOT23-5 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT23-5 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-153 |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
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TOSHIBA/东芝 |
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SOT-153 |
26800 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
23+ |
SOT-153 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
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SOT23-5 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
1923+ |
SOT-153 |
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询价 |
