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VN2406	文件：559.47 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN2406	文件：442.17 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimped	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN2406D	文件：54.79 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel240-V(D-S)MOSFETs FEATURES ●LowOn-Resistance:3.5Ω ●SecondaryBreakdownFree:260V ●LowPower/VoltageDriven ●LowInputandOutputLeakage ●ExcellentThermalStability BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Full-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●LowErrorVoltage ●NoHigh-Temperature“	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VN2406L	文件：54.79 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel240-V(D-S)MOSFETs FEATURES ●LowOn-Resistance:3.5Ω ●SecondaryBreakdownFree:260V ●LowPower/VoltageDriven ●LowInputandOutputLeakage ●ExcellentThermalStability BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Full-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●LowErrorVoltage ●NoHigh-Temperature“	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VN2406L	文件：442.17 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimped	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN2406L	文件：57.17 Kbytes Page：4 Pages	TMOSFETTransistor TMOSFETTransistor N–Channel—Enhancement	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
VN2406L	文件：139.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-Mode Features ❏Freefromsecondarybreakdown ❏Lowpowerdriverequirement ❏Easeofparalleling ❏LowCISSandfastswitchingspeeds ❏Excellentthermalstability ❏IntegralSource-Draindiode ❏Highinputimpedanceandhighgain ❏ComplementaryN-andP-channeldevices Applications ❏Motor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
VN2406L	文件：112.13 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalMOSFET200mAmps,240Volts SmallSignalMOSFET200mAmps,240VoltsN−ChannelTO−92 200mAMPS240VOLTSRDS(on)=6Ω	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
VN2406L-G	文件：559.47 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN2406L-G	文件：776.77 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

详细参数

型号：
RN2406(F)
制造商：
Toshiba
功能描述：
PNP 50V 100mA
功能描述：
PNP 50V 100mA Cut Tape

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市联世界科技有限公司	RN2406(F)	TOSHIBA	24+/25+		200	原装正品现货库存价优	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	RN2406(T5L	TOS	2016+	PBFREE	5632	只做进口原装正品!现货或者订货一周货期!只要要网上有	询价
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深圳市明嘉莱科技有限公司	RN2406(T5L,F,T)	TOSHIBA/东芝	25+	NA	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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深圳市中远芯科技有限公司	RN2406,LF	TOSHIBA/东芝	21+	TO-236-3	9000	原装现货	询价

更多RN2406(F)供应商更新时间2025-6-28 14:30:00

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