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RN2313	文件：163.41 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit ● With built-in bias resistors. ● Simplify circuit design ● Reduce a quantity of parts and manufacturing process and miniaturize equipment. ● Various resistance values are available to suit various circuit designs. ● Complement 文件：163.41 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2313	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT) Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP\nInternal Connection：Single\nComplementary Product：RN1313\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC -0.1 A \nCollector-emitter voltage VCEO -50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN2313(TE85L,F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
RN2313,LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

晶体管资料

型号：
RN2313
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
DTA144TU,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

技术参数

Package name：
SOT-323 (USM)
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.9
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Polarity：
PNP
Internal Connection：
Single
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
47
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
Infinity
Q1VCEO (Max)(V)：
-50
Q1IC (Max)(A)：
-0.1

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更多RN2313供应商更新时间2026-9-28 15:11:00

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