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RN2313中文资料Bias resistor built-in transistor (BRT)数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

RN2313

参数属性

RN2313 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN

功能描述

Bias resistor built-in transistor (BRT)

封装外壳

SC-70,SOT-323

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2026-1-28 15:11:00

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晶体管资料

  • 型号:

    RN2313

  • 别名:

    RN2313三极管、RN2313晶体管、RN2313晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    DTA144TU,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.4

RN2313规格书详情

描述 Description

Application Scope:General-purpose
Polarity:PNP
Internal Connection:Single
Complementary Product:RN1313
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国

特性 Features

Collector Current IC -0.1 A
Collector-emitter voltage VCEO -50 V

技术参数

  • 制造商编号

    :RN2313

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Package name

    :SOT-323 (USM)

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.0 x 2.1 x 0.9

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :Y

  • Polarity

    :PNP

  • Internal Connection

    :Single

  • Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)

    :47

  • Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)

    :Infinity

  • Q1VCEO (Max)(V)

    :-50

  • Q1IC (Max)(A)

    :-0.1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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