RN2313中文资料Bias resistor built-in transistor (BRT)数据手册Toshiba规格书
| 厂商型号 |
RN2313 |
| 参数属性 | RN2313 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN |
| 功能描述 | Bias resistor built-in transistor (BRT) |
| 封装外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
| 中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-28 22:58:00 |
| 人工找货 | RN2313价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
RN2313三极管、RN2313晶体管、RN2313晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+R
- 性质：
表面帖装型 （SMD）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
DTA144TU,
- 最大耗散功率：
0.4W
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0.4
RN2313规格书详情
描述 Description
Application Scope：General-purpose
Polarity：PNP
Internal Connection：Single
Complementary Product：RN1313
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本 / 泰国
特性 Features
Collector Current IC -0.1 A
Collector-emitter voltage VCEO -50 V
技术参数
- 制造商编号
：RN2313
- 生产厂家
：Toshiba
- Package name
：SOT-323 (USM)
- Width×Length×Height(mm)
：2.0 x 2.1 x 0.9
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：Y
- Polarity
：PNP
- Internal Connection
：Single
- Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)
：47
- Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)
：Infinity
- Q1VCEO (Max)(V)
：-50
- Q1IC (Max)(A)
：-0.1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TOSHIBA/东芝 |
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SOT323 |
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TOSHIBA |
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SOT-323 |
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SOT-323 |
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