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TGS2303-EEU	文件：199.67 Kbytes Page：3 Pages	SP3TPINSwitch KeyFeaturesandPerformance •VerticalPINMonolithicProcess •0.2-18GHzFrequencyRange •0.5dBInsertionLoss,Typical •35dBIsolation,Typical •20dBTypicalInputandOutputReturnLoss •CompatiblewithFullyAutomatedAssembly •Series-Shunt-ShuntConfiguration	TriQuint TriQuint Semiconductor, Inc.	TriQuint
TLP2303	文件：286.07 Kbytes Page：13 Pages	PhotocouplersGaAAsInfraredLED&PhotoIC General TheToshibaTLP2303consistsofahigh-outputGaAℓAslight-emittingdiodecoupledwithahigh-speedphotodiode-transistorchip.ItishousedintheSO6package.Thehigh-speed,high-gaindetectorelementisused,sincethecurrenttransferratiois900(@IF=0.5mA)minimumover-40to	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TSM2303	文件：364.87 Kbytes Page：6 Pages	30VP-ChannelMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM2303CXRFG	文件：364.87 Kbytes Page：6 Pages	30VP-ChannelMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
UTOUTC2303	文件：183.72 Kbytes Page：6 Pages	Thin-FilmCascadableAmplifier1700to2300MHz	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
VEC2303	文件：58.91 Kbytes Page：4 Pages	VEC2303	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
VMMK-2303	文件：797.2 Kbytes Page：11 Pages	0.5to6GHz1.8VE-pHEMTShutdownLNAinWaferLevelPackage	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
VMMK-2303	文件：797.2 Kbytes Page：11 Pages	0.5to6GHz1.8VE-pHEMTShutdownLNAinWaferLevelPackage	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
W2303EP	文件：259.54 Kbytes Page：5 Pages	KeysightEEsofEDA	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
WST2303	文件：869.83 Kbytes Page：5 Pages	P-ChMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半岛体深圳市龍華區大浪街道高峰社區忠信路9號匯億大廈807	WIINSOK
WST2303	文件：471.39 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
WST2303S	文件：471.41 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
WTC2303	文件：499.73 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
WTC2303	文件：667.74 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
YJL2303A	文件：633.87 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
ZBY2303	文件：102.18 Kbytes Page：2 Pages	Harmony,22mmPushButton,legendholder30x40mm,withlegend8x27mm,markedSTART	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
ZBYM2303	文件：71.53 Kbytes Page：2 Pages	legendplatemetalwithstartmarking	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER

产品属性

产品编号：
RN2303,LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM

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更多RN2303,LF供应商更新时间2024-6-4 14:14:00

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