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RN2408	文件：170.69 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications ● With built-in bias resistors ● Simplify circuit design ● Reduce a quantity of parts and manufacturing process ● Complementary to RN1407~1409 文件：170.69 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2408	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT) Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP\nInternal Connection：Single\nComplementary Product：RN1408\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC -0.1 A \nCollector-emitter voltage VCEO -50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN2408,LXHF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
ST2408	文件：69.93 Kbytes Page：6 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using Diffused Collector technology for more stable operation Vs base drive circuit variations resulting in very low worst case dissipation. ■ NEW SERIES, ENHANCHED PERFORMANCE ■ FULLY INSULATED PACKAGE FOR EASY MOUNTING ■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY ■ HIGH 文件：69.93 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
ST2408HI	文件：69.93 Kbytes Page：6 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using Diffused Collector technology for more stable operation Vs base drive circuit variations resulting in very low worst case dissipation. ■ NEW SERIES, ENHANCHED PERFORMANCE ■ FULLY INSULATED PACKAGE FOR EASY MOUNTING ■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY ■ HIGH 文件：69.93 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
UPC2408AHF	文件：103.95 Kbytes Page：14 Pages	THREE TERMINAL LOW DROPOUT VOLTAGE REGULATOR SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：103.95 Kbytes 页数：14 Pages	NEC 瑞萨	NEC

晶体管资料

型号：
RN2408
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
FN1F4N,DTA124XK,KSR2107,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

技术参数

Package name：
SOT-346 (S-Mini)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Polarity：
PNP
Internal Connection：
Single
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
22
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
47
Q1VCEO (Max)(V)：
-50
Q1IC (Max)(A)：
-0.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

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