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SMV2106	文件：35.68 Kbytes Page：1 Pages	PLASTICSURFACEMOUNTGENERALPURPOSEABRUPTVARACTORDIODES PLASTICSURFACEMOUNTGENERALPURPOSEABRUPTVARACTORDIODES DCPowerDissipation@Ta=25°C250mW ReverseBreakdownVoltage@10µA30VMin MaxReverseCurrent(IR)@Ta=25°C0.1µA@25Vdc OperatingTemperature(Topr)-55to+125°C StorageT	KNOX Knox Semiconductor, Inc	KNOX
SP2106	文件：115.75 Kbytes Page：7 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
TN2106	文件：550.85 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
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TN2106	文件：32.189 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimped	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TN2106	文件：822.75 Kbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TN2106ND	文件：32.189 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimped	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
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TPC-2106	文件：1.00099 Mbytes Page：5 Pages	IndustrialWindowsCETouchPanelComputers	NI National Instruments Inc.	NI
TR2106SY	文件：255.77 Kbytes Page：7 Pages	RECTIFIERDIODE FEATURES ■DoubleSideCooling ■HighSurgeCapability APPLICATIONS ■Rectification ■FreewheelDiode ■DCMotorControl ■PowerSupplies ■Welding ■BatteryChargers	TRSYS Transys Electronics	TRSYS

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详细参数

型号：
RN2106MFV
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 -100mA -50volts 4.7K x 47Kohms
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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