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RN1911FE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：NPN×2\nInternal Connection：2-in-1 (Point-symmetrical)\nComplementary Product：RN2911FE\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current (Q1) IC 0.1 A \nCollector Current (Q2) IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO 50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO 50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN1911FE	文件：262.34 Kbytes Page：6 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 文件：262.34 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
UPA1911	文件：65.78 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The µPA1911 is a switching device which can be driven directly by a 2.5-V power source. The µPA1911 features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES • Can be dri 文件：65.78 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA1911A	文件：382.36 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The µPA1911A is a switching device which can be driven directly by a 2.5 V power source. The µPA1911A features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES • Can be d 文件：382.36 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA1911TE	文件：65.78 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The µPA1911 is a switching device which can be driven directly by a 2.5-V power source. The µPA1911 features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES • Can be dri 文件：65.78 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC

技术参数

Package name：
SOT-563 (ES6)
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 1.6 x 0.55
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Polarity：
NPN x 2
Internal Connection：
2-in-1 (Point-symmetrical)
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
10
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
Infinity
Q1VCEO (Max)(V)：
50
Q1IC (Max)(A)：
0.1
Q2Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
10
Q2Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
Infinity
Q2VCEO (Max)(V)：
50
Q2IC (Max)(A)：
0.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

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