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UC1710SP	文件：101.08 Kbytes Page：7 Pages	HighCurrentFETDriver	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UC1710SP	文件：104.25 Kbytes Page：6 Pages	HighCurrentFETDriver	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UC1710-SP	文件：259.87 Kbytes Page：10 Pages	HighCurrentFETDriver FEATURES ·TotemPoleOutputwith6A Source/SinkDrive ·3nsDelay ·20nsRiseandFallTimeinto2.2nF ·8nsRiseandFallTimeinto30nF ·4.7Vto18VOperation ·InvertingandNon-InvertingOutputs ·Under-VoltageLockoutwith Hysteresis ·ThermalShutdownProtection ·MINIDIPandPo	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
UC1710-SP	文件：253.83 Kbytes Page：9 Pages	HighCurrentFETDriver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UC1710-SP	文件：101.08 Kbytes Page：7 Pages	HighCurrentFETDriver	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UDZSTE-1710B	文件：158.96 Kbytes Page：5 Pages	Constantvoltagecontrol	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
UPA1710	文件：226.39 Kbytes Page：10 Pages	MOSFieldEffectPowerTransistors SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFFT INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconverterandpowermanagement applicationsofnotebookcomputers. FEATURES •LowOn-Resistance RDS(on)1=70mWMax.(VGS=–10V,ID=–2.5A) RDS(on)2=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1710A	文件：244.63 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=70mW(MAX.)(VGS=–10V,ID=–2.5A) RDS(on)2=160mW(MAX.)(VGS=–4V,ID=–2.0A) ·LowCiss:Ciss=840pF(TYP.) ·Built-inG-Sprotectiondiode ·Smallandsurfacemountpackage(Power	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1710AG	文件：244.63 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=70mW(MAX.)(VGS=–10V,ID=–2.5A) RDS(on)2=160mW(MAX.)(VGS=–4V,ID=–2.0A) ·LowCiss:Ciss=840pF(TYP.) ·Built-inG-Sprotectiondiode ·Smallandsurfacemountpackage(Power	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
VDA1710CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM

详细参数

型号：
RN1710
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	RN1710	TOSHIBA/东芝	25+	SOT-353	32000	TOSHIBA/东芝全新特价RN1710即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市创新迹电子有限公司	RN1710	TOSHIBA/东芝	2021+	SOT-353	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
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