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RN1710	文件：171.6 Kbytes Page：5 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：171.6 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN1710	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：NPN×2\nInternal Connection：2-in-1 (Common emitter)\nComplementary Product：RN2710\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current (Q1) IC 0.1 A \nCollector Current (Q2) IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO 50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO 50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN1710JE	文件：160.26 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications • Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5 pin) package. • Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more 文件：160.26 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN1710JE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：NPN×2\nInternal Connection：2-in-1 (Common emitter)\nComplementary Product：RN2710JE\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current (Q1) IC 0.1 A \nCollector Current (Q2) IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO 50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO 50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

晶体管资料

型号：
RN1710
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
表面帖装型（SMD）_差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
5
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
H-21
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.2

技术参数

Package name：
SOT-353 (USV)
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.9
Number of pins：
5
Surface mount package：
Y
Polarity：
NPN x 2
Internal Connection：
2-in-1 (Common emitter)
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
4.7
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
Infinity
Q1VCEO (Max)(V)：
50
Q1IC (Max)(A)：
0.1
Q2Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
4.7
Q2Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
Infinity
Q2VCEO (Max)(V)：
50
Q2IC (Max)(A)：
0.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

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