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RN1310 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuit •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocessandminiaturize equipment. •Variousresistancevaluesareavailabletosuitvariouscircuitdesigns. •Complem | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | |
RN1310 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM | Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | ||
Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM | Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | ||
Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 描述：AUTO AEC-Q NPN BRT, Q1BSR=4.7K, | Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | ||
VoltageControlledOscillator | MINI Mini-Circuits | MINI | ||
VoltageControlledOscillator | MINI Mini-Circuits | MINI | ||
1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput | RECOM Recom International Power | RECOM | ||
1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput | RECOM Recom International Power | RECOM |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+R
- 性质：
表面帖装型 （SMD）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
DTC143TU,
- 最大耗散功率：
0.4W
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0.4
详细参数
- 型号：
RN1310
- 功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 INCORRECT MOUSER P/N 4.7Kohms
- RoHS：
否
- 制造商：
ON Semiconductor
- 晶体管极性：
NPN/PNP
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
200 mA
- 最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
50 V
- 集电极连续电流：
150 mA
- 功率耗散：
200 mW
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
24+ |
SOT-323 |
81000 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
询价 | ||
TOSHIBA |
23+ |
SOT323 |
7850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
TOSHIBA |
23+ |
SOT323 |
9526 |
询价 | |||
TOSHIBA |
24+ |
5000 |
公司存货 |
询价 | |||
NEC |
2016+ |
SOT323 |
2000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
TOSHIBA |
17+ |
SOT-323 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
TOS |
24+ |
SOT23 |
2987 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-323 |
25000 |
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询价 | ||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
TOSHIBA |
21+ |
48000 |
12588 |
原装正品假一罚十 |
询价 |
