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RN1309中文资料东芝数据手册PDF规格书

RN1309
厂商型号

RN1309

参数属性

RN1309 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

文件大小

172.94 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-24 20:00:00

晶体管资料

  • 型号:

    RN1309

  • 别名:

    RN1309三极管、RN1309晶体管、RN1309晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+R

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    DTC144WU,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    .1

  • wtest:

    .4

RN1309规格书详情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

• With built-in bias resistors.

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and manufacturing process

• Complementary to RN2307 to RN2309

产品属性

  • 产品编号:

    RN1309,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 5mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 250µA,5mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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