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RN1241中文资料PDF规格书

RN1241
厂商型号

RN1241

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

文件大小

86.89 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-31 11:36:00

晶体管资料

  • 型号:

    RN1241

  • 别名:

    RN1241三极管、RN1241晶体管、RN1241晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+R

  • 性质:

    开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-57

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0

  • wtest:

    .3

RN1241规格书详情

For Muting and Switching Applications

1. High emitter-base voltage : VEBO= 25v (min)

2. High reverse hfe : reverse hFE = 150 (typ.) (VCE= −2V, IC= −4ma)

3. Low on resistance : RON= 1Ω(typ.) (IB= 5mA)

4. With built-in bias resistors

5. Simplify circuit design

6. Reduce a quantity of parts and manufacturing process

产品属性

  • 型号:

    RN1241

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SEI
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TOSHIBA/东芝
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