RN1112分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RN1112 |
| 参数属性 | RN1112 封装/外壳为SC-75，SOT-416；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM |
| 功能描述 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
| 封装外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 文件大小 |
267.81 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | TOSHIBA |
| 中文名称 | 东芝 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-3 11:00:00 |
| 人工找货 | RN1112价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
RN1112三极管、RN1112晶体管、RN1112晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+R
- 性质：
表面帖装型 （SMD）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
DTC124TE,
- 最大耗散功率：
0.1W
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0.1
产品属性
- 产品编号：
RN1112(TE85L,F)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 250µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-75，SOT-416
- 供应商器件封装：
SSM
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
2016+ |
SC-75A |
20000 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2447 |
SOT-523 |
100500 |
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询价 | ||
Toshiba |
23+ |
SMD |
12800 |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT423 |
50000 |
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TOSHIBA/东芝 |
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SSM |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOP-8 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
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TOSHIBA |
22+ |
SOT423 |
20000 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
25+ |
SC-75A |
20000 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
23+ |
SOT423 |
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TOSHIBA |
24+ |
FSM3 |
5000 |
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询价 |
