| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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TOSHIBASOT-723 |
8000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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12年
留言
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TOSHIBASOT-723 |
53650 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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13年
留言
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TOSHIBA/东芝VESM |
8595 |
2540+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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13年
留言
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TOSHIBA/东芝NA |
30000 |
26+ |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
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3年
留言
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TOSHIBASOT-723 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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19年
留言
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TOSHIBANA |
136680 |
14+ |
全新 发货1-2天 |
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1年
留言
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TOSHIBASOT-723 |
70000 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单 |
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17年
留言
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TOSHIBA原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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1年
留言
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TOSHIBASOT-723 |
12800 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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10年
留言
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原装NA |
9200 |
最新 |
公司原装现货假一罚十特价欢迎来电咨询 |
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4年
留言
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TOSHIBA/东芝NA |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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6年
留言
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TOSHIBA/东芝NA |
136000 |
23+ |
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6年
留言
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TOSHIBA/东芝NA |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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2年
留言
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TOSHIBA/东芝NA |
45000 |
25+ |
本公司 只做全新原装正品 |
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12年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT723-3 |
6540 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
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13年
留言
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TOSHIBA/东芝NA |
30000 |
26+ |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
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9年
留言
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TOSHIBAN/A |
2500 |
26+ |
进口原装,优势现货 |
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7年
留言
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TOSHIBA-东芝车规-元器件 |
143788 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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7年
留言
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TOSHIBA-东芝VESMD |
236148 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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17年
留言
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TOSHIBA原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
RN1110MFV采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
RN1110MFV图片
RN1110MFV(TL3,T)价格
RN1110MFV(TL3,T)价格:¥0.3382品牌:Toshiba
生产厂家品牌为Toshiba的RN1110MFV(TL3,T)多少钱,想知道RN1110MFV(TL3,T)价格是多少?参考价:¥0.3382。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,RN1110MFV(TL3,T)批发价格及采购报价,RN1110MFV(TL3,T)销售排行榜及行情走势,RN1110MFV(TL3,T)报价。
RN1110MFV(TL3T)中文资料Alldatasheet PDF
更多RN1110MFV功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50volts 4.7Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
RN1110MFV(TL3,T)功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 150mA PC RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
RN1110MFV(TPL3)功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50volts 3Pin 4.7Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel























