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RMP4N65IP	文件：1.96573 Mbytes Page：11 Pages	丝印：4N65；Package：TO-251；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES Low Crss Low gate charge Fast switching Improved ESD capability Improved dv/dt capability 100% avalanche energy test 文件：1.96573 Mbytes 页数：11 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RMP4N65IP	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
RMP4N65LD	文件：1.96573 Mbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES Low Crss Low gate charge Fast switching Improved ESD capability Improved dv/dt capability 100% avalanche energy test 文件：1.96573 Mbytes 页数：11 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RMP4N65TI	文件：1.96573 Mbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES Low Crss Low gate charge Fast switching Improved ESD capability Improved dv/dt capability 100% avalanche energy test 文件：1.96573 Mbytes 页数：11 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
SIF4N65C	文件：468.04 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：468.04 Kbytes 页数：9 Pages	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC

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