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RMLV0816BGSB-4S2集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
RMLV0816BGSB-4S2 |
| 参数属性 | RMLV0816BGSB-4S2 封装/外壳为44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II |
| 功能描述 | 8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit) |
| 封装外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
| 文件大小 |
330.16 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-10 23:01:00 |
| 人工找货 | RMLV0816BGSB-4S2价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
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RMLV0816BGSB-4S2规格书详情
描述 Description
The RMLV0816BGSB is a family of 8-Mbit static RAMs organized 524,288-word × 16-bit, fabricated by Renesas’s
high-performance Advanced LPSRAM technologies. The RMLV0816BGSB has realized higher density, higher
performance and low power consumption. The RMLV0816BGSB offers low power standby power dissipation;
therefore, it is suitable for battery backup systems. It is offered in 44pin TSOP (II).
特性 Features
Single 3V supply: 2.4V to 3.6V
Access time:
── Power supply voltage from 2.7V to 3.6V: 45ns (max.)
── Power supply voltage from 2.4V to 2.7V: 55ns (max.)
Current consumption:
── Standby: 0.45µA (typ.)
Equal access and cycle times
Common data input and output
── Three state output
Directly TTL compatible
── All inputs and outputs
Battery backup operation
产品属性
- 产品编号:
RMLV0816BGSB-4S2#HA0
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
管件
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM
- 存储容量:
8Mb(512K x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
45ns
- 电压 - 供电:
2.4V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
- 供应商器件封装:
44-TSOP II
- 描述:
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
14548 |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
25000 |
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