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RMLV0808BGSB-4S2集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

RMLV0808BGSB-4S2

参数属性

RMLV0808BGSB-4S2 封装/外壳为44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

功能描述

8Mb Advanced LPSRAM (1024k word × 8bit)

封装外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

文件大小

323.22 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-9 20:00:00

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RMLV0808BGSB-4S2价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

RMLV0808BGSB-4S2规格书详情

描述 Description

The RMLV0808BGSB is a family of 8-Mbit static RAMs organized 1,048,576-word × 8-bit, fabricated by Renesas’s

high-performance Advanced LPSRAM technologies. The RMLV0808BGSB has realized higher density, higher

performance and low power consumption. The RMLV0808BGSB offers low power standby power dissipation;

therefore, it is suitable for battery backup systems. It is offered in 44pin TSOP (II).

特性 Features

 Single 3V supply: 2.4V to 3.6V

 Access time:

── Power supply voltage from 2.7V to 3.6V: 45ns (max.)

── Power supply voltage from 2.4V to 2.7V: 55ns (max.)

 Current consumption:

── Standby: 0.45µA (typ.)

 Equal access and cycle times

 Common data input and output

── Three state output

 Directly TTL compatible

── All inputs and outputs

 Battery backup operation

产品属性

  • 产品编号:

    RMLV0808BGSB-4S2#HA0

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM

  • 存储容量:

    8Mb(1M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    45ns

  • 电压 - 供电:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

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