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RMLV0816BGBG-4S2集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

RMLV0816BGBG-4S2
厂商型号

RMLV0816BGBG-4S2

参数属性

RMLV0816BGBG-4S2 封装/外壳为48-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

功能描述

8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit)

封装外壳

48-TFBGA

文件大小

340.54 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-2 18:00:00

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RMLV0816BGBG-4S2规格书详情

描述 Description

The RMLV0816BGBG is a family of 8-Mbit static RAMs organized 524,288-word × 16-bit, fabricated by Renesas’s

high-performance Advanced LPSRAM technologies. The RMLV0816BGBG has realized higher density, higher

performance and low power consumption. The RMLV0816BGBG offers low power standby power dissipation;

therefore, it is suitable for battery backup systems. It is offered in 48-ball fine pitch ball grid array.

特性 Features

 Single 3V supply: 2.4V to 3.6V

 Access time:

── Power supply voltage from 2.7V to 3.6V: 45ns (max.)

── Power supply voltage from 2.4V to 2.7V: 55ns (max.)

 Current consumption:

── Standby: 0.45µA (typ.)

 Equal access and cycle times

 Common data input and output

── Three state output

 Directly TTL compatible

── All inputs and outputs

 Battery backup operation

产品属性

  • 产品编号:

    RMLV0816BGBG-4S2#KC0

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM

  • 存储容量:

    8Mb(512K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    45ns

  • 电压 - 供电:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    48-TFBGA(7.5x8.5)

  • 描述:

    IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

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