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RM6N800T2	文件：647.22 Kbytes Page：10 Pages	丝印：6N800；Package：TO-220；N-Channel Super Junction Power MOSFET III Features New technology for high voltage device Low on-resistance and low conduction losses. small package Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements 100% Avalanche Tested ROHS compliant 文件：647.22 Kbytes 页数：10 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
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RM9003A(RM9003B)	文件：0 bytes Page：0 Pages	RM/亚成微 ESOP8、TO252、SOT89-3	RM/亚成微上传：深圳市华钻电子有限公司	RM/亚成微
RMC1/16S-470JTHIC	文件：0 bytes Page：0 Pages	KAMAYA SMD	kamaya 釜屋电机上传：深圳台格电子科技有限公司	kamaya

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