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RM6N800T1

丝印:6N800;Package:TO-220F;N-Channel Super Junction Power MOSFET III

Features New technology for high voltage device Low on-resistance and low conduction losses. small package Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements 100% Avalanche Tested ROHS compliant

文件:647.22 Kbytes 页数:10 Pages

RECTRON

丽正国际

RM7065C-600R

PMC
BGA

RM9003A(RM9003B)

RM/亚成微
ESOP8、TO252、SOT89-3

RM/亚成微

RMC1/16S-470JTHIC

KAMAYA
SMD

kamaya

釜屋电机

上传:深圳台格电子科技有限公司

RMC1/16SK1501FTH

KAMAYA
SMD

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上传:深圳台格电子科技有限公司

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更多RM6N800T1供应商 更新时间2025-10-7 11:06:00