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RM6A5N30S6

丝印:6A5N30;Package:SOT-23-6;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features VDS =32V,ID =6.5A RDS(ON)

文件:335.97 Kbytes 页数:8 Pages

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上传:深圳台格电子科技有限公司

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更多RM6A5N30S6供应商 更新时间2025-10-11 10:06:00