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RM6A5N30S6中文资料丽正国际数据手册PDF规格书

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厂商型号

RM6A5N30S6

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

6A5N30

封装外壳

SOT-23-6

文件大小

335.97 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

RECTRON

中文名称

丽正国际

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数据手册

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更新时间

2025-12-7 16:10:00

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RM6A5N30S6规格书详情

General Features

VDS =32V,ID =6.5A

RDS(ON) < 35mΩ GS=10V

RDS(ON) < 55mΩ GS=4.5V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized Avalanche voltage and current

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