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RM6A2N250LD	文件：275.96 Kbytes Page：6 Pages	丝印：6A2N25；Package：TO-252-2L；N-Channel Mode Power MOSFET Features VDS =250V,ID =6.2A RDS(ON) =430mΩ (typical) @ VGS=10V New technology for high voltage device Low on-resistance and low conduction losses Small package Ultra Low Gate Charge cause 100% Avalanche Tested ROHS compliant Halogen-free 文件：275.96 Kbytes 页数：6 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM6A2N250LD	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
RM7065C-600R	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	PMC 上传：深圳市恒达亿科技有限公司	PMC
RM9003A(RM9003B)	文件：0 bytes Page：0 Pages	ESOP8、TO252、SOT89-3	RM/亚成微上传：深圳市华钻电子有限公司	RM/亚成微
RMC1/16S-470JTHIC	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	kamaya 釜屋电机上传：深圳台格电子科技有限公司	kamaya

技术参数

Id @ 25C (A)：
6.2 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
430 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
10.4 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
56 W
Input Capacitance (Ciss)：
370 pF
Polarity：
N-Channel
Mounting Style：
Through Hole
Package / Case：
TO-252

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	RM6A2N250LD	NK/南科功率	2025+	TO-252	986966	国产	询价
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更多RM6A2N250LD供应商更新时间2025-12-1 14:01:00

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