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RM6A2N250LD

Marking:6A2N25;Package:TO-252-2L;N-Channel Mode Power MOSFET

Features VDS=250V,ID=6.2A RDS(ON)=430mΩ(typical)@VGS=10V Newtechnologyforhighvoltagedevice Lowon-resistanceandlowconductionlosses Smallpackage UltraLowGateChargecause 100%AvalancheTested ROHScompliant Halogen-free

RECTRON

Rectron Semiconductor

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更多RM6A2N250LD供应商 更新时间2025-7-24 14:32:00