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RM6A2N250LD

丝印:6A2N25;Package:TO-252-2L;N-Channel Mode Power MOSFET

Features VDS =250V,ID =6.2A RDS(ON) =430mΩ (typical) @ VGS=10V New technology for high voltage device Low on-resistance and low conduction losses Small package Ultra Low Gate Charge cause 100% Avalanche Tested ROHS compliant Halogen-free

文件:275.96 Kbytes 页数:6 Pages

RECTRON

丽正国际

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更多6A2N25供应商 更新时间2025-9-13 14:01:00