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RM37N650TI中文资料MOSFET数据手册Rectron规格书
技术参数
- 制造商编号
：RM37N650TI
- 生产厂家
：Rectron
- Id @ 25C (A)
：37 A
- Rds-on (typ) (mOhms)
：100 mOhms
- Total Gate Charge (nQ) typ
：86 nQ
- Maximum Power Dissipation (W)
：35.7 W
- Vgs(th) (typ)
：4.0 V
- Input Capacitance (Ciss)
：3300 pF
- Polarity
：N-Channel
- Mounting Style
：Through Hole
- Package / Case
：TO-220F
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
46000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
RFMD |
2023+ |
QFN16 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
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SANKEN |
18+ |
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85600 |
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SANKEN |
24+ |
NA |
990000 |
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SANKEN |
25+ |
DO |
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DIP |
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1615 |
35 |
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COPAL |
24+ |
NO |
4 |
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Sanken |
ROHS |
56520 |
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询价 | |||
台湾寰达/DIPTRONICS |
22+ |
DIP |
2400 |
原装现货 |
询价 |
