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RM37N650TI	文件：1.11669 Mbytes Page：9 Pages	丝印：37N650；Package：TO-220F；N-Channel Super Junction Power MOSFET Features New technology for high voltage device Low on-resistance and low conduction losses. Small package Uira Low Gate Charge cause lower driving requirements. 100 Avalanche Tested ROHS compliant Halogen-free 文件：1.11669 Mbytes 页数：9 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM37N650TI	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
RM412-086-192-9500-918	文件：0 bytes Page：0 Pages	N/A	AIRBORN 上传：深圳市启航讯科技有限公司	AIRBORN
RM412-220-192-9501-919	文件：0 bytes Page：0 Pages	coc	AIRBORN 上传：深圳市能元时代电子有限公司	AIRBORN
RM44L520APZTR	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂封装	TI/德州仪器上传：深圳市腾胜芯科技有限公司	TI/德州仪器

技术参数

Id @ 25C (A)：
37 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
100 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
86 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
35.7 W
Vgs(th) (typ)：
4.0 V
Input Capacitance (Ciss)：
3300 pF
Polarity：
N-Channel
Mounting Style：
Through Hole
Package / Case：
TO-220F

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更多RM37N650TI供应商更新时间2025-12-22 17:20:00

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