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RM35N650AT7数据手册Rectron中文资料规格书

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厂商型号

RM35N650AT7

功能描述

MOSFET

制造商

Rectron Rectron Semiconductor

中文名称

丽正

数据手册

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更新时间

2025-8-10 20:44:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :RM35N650AT7

  • 生产厂家

    :Rectron

  • Id @ 25C (A)

    :35 A

  • Rds-on (typ) (mOhms)

    :93 mOhms

  • Total Gate Charge (nQ) typ

    :80.2 nQ

  • Maximum Power Dissipation (W)

    :357 W

  • Vgs(th) (typ)

    :4.0 V

  • Input Capacitance (Ciss)

    :3009 pF

  • Polarity

    :N-Channel

  • Mounting Style

    :Through Hole

  • Package / Case

    :TO-247

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