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SP3400	文件：717.97 Kbytes Page：5 Pages	1pF,±30kVDiodeArray Description TheSP3400integrates2channelsoflowcapacitancesteering diodesandanadditionalzenerdiodetoprovideprotectionfor electronicequipmentthatmayexperiencedestructiveelectrostatic discharges(ESD).TheSP3400cansafelyabsorbrepetitiveESD strikesabovethemaximumco	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
SPN3400	文件：199.79 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER
SPN3400	文件：494.04 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPN3400W	文件：200.16 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER
SPN3400W	文件：494.1 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSF3400K	文件：437.71 Kbytes Page：6 Pages	AdvancedtrenchMOSFETprocesstechnology FeaturesandBenefits: ■AdvancedtrenchMOSFETprocesstechnology ■SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications ■Ultralowon-resistancewithlowgatecharge ■Fastswitchingandreversebodyrecovery ■150℃operatingtemperature Description: Itutilizesth	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SSS3400	文件：481.72 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ST3400	文件：352.35 Kbytes Page：6 Pages	NChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION TheST3400istheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorisproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology. Thishigh-densityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageapplic	STANSON Stanson Technology	STANSON
ST3400SRG	文件：547.99 Kbytes Page：6 Pages	TheST3400SRGistheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorisproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology. DESCRIPTION TheST3400SRGistheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorisproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology. Thishigh-densityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageapp	STANSON Stanson Technology	STANSON
ST3400SRG	文件：493.56 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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