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RM30N100T7

丝印:30N100;Package:TO-247;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features VDS = 100V,ID =30A Special process technology for high ESD capability High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissipation Halogen-free RDS(ON)

文件:727.27 Kbytes 页数:7 Pages

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上传:深圳市腾胜芯科技有限公司

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更多RM30N100T7供应商 更新时间2025-10-10 10:01:00