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RM30N100T7中文资料丽正国际数据手册PDF规格书

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厂商型号

RM30N100T7

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

30N100

封装外壳

TO-247

文件大小

727.27 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

RECTRON

中文名称

丽正国际

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数据手册

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更新时间

2025-12-15 15:15:00

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RM30N100T7规格书详情

General Features

VDS = 100V,ID =30A

Special process technology for high ESD capability

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

Halogen-free

RDS(ON) < 50mΩ @ VGS=10V (Typ:40mΩ)

RDS(ON)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI/三菱
23+
TO-59
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标准封装
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原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
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模块
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