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RM2A8N60S4	文件：173.66 Kbytes Page：6 Pages	丝印：2A8N60；Package：SOT-223-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features VDS = 60V,ID = 2.8A RDS(ON) 文件：173.66 Kbytes 页数：6 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM2A8N60S4	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
RM412-086-192-9500-918	文件：0 bytes Page：0 Pages	AIRBORN N/A	AIRBORN 上传：深圳市启航讯科技有限公司	AIRBORN
RM412-220-192-9501-919	文件：0 bytes Page：0 Pages	AIRBORN coc	AIRBORN 上传：深圳市能元时代电子有限公司	AIRBORN
RM44L520APZTR	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI/德州仪器原厂封装	TI/德州仪器上传：深圳市腾胜芯科技有限公司	TI/德州仪器

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更多RM2A8N60S4供应商更新时间2025-10-5 11:06:00