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RM2A8N60S4中文资料RECTRON数据手册PDF规格书

RM2A8N60S4
厂商型号

RM2A8N60S4

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

2A8N60

封装外壳

SOT-223-3L

文件大小

173.66 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Rectron Semiconductor
企业简称

RECTRON

中文名称

Rectron Semiconductor官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 11:06:00

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RM2A8N60S4规格书详情

General Features

VDS = 60V,ID = 2.8A

RDS(ON) < 100mΩ @ VGS=10V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Excellent package for good heat dissipation

RDS(ON)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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