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RM20N650T2

丝印:20N650;Package:TO-220;N Channel Super Junction Power MOSFET III

Features New technology for high voltage device Low on-resistance and low conduction losses. Small package Ulra Low Gate Charge cause lower diving requirements. 100% Avalanche Tested ROHS compliant

文件:1.50672 Mbytes 页数:11 Pages

RECTRON

丽正国际

RM250UZ-24

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RM412-086-192-9500-918

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上传:深圳市腾胜芯科技有限公司

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更多RM20N650T2供应商 更新时间2025-10-12 11:06:00