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RM1A5N30S3AE中文资料RECTRON数据手册PDF规格书

RM1A5N30S3AE
厂商型号

RM1A5N30S3AE

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

丝印标识

1A5N30

封装外壳

SOT-323

文件大小

430.88 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Rectron Semiconductor
企业简称

RECTRON

中文名称

Rectron Semiconductor官网

原厂标识
RECTRON
数据手册

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更新时间

2025-8-1 20:00:00

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RM1A5N30S3AE规格书详情

General Features

VDS =30V,ID =1.5A

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Excellent package for good heat dissipation

RDS(ON) <144mΩ @ VGS=4.5V

RDS(ON)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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