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RM1A5N30S3AE

丝印:1A5N30;Package:SOT-323;N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

General Features VDS =30V,ID =1.5A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package for good heat dissipation RDS(ON)

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RECTRON

丽正国际

RM1A5N30S3E

丝印:1A5N30;Package:SOT-323;N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

General Features VDS =30V,ID =1.5A RDS(ON)

文件:166.26 Kbytes 页数:8 Pages

RECTRON

丽正国际

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多1A5N30供应商 更新时间2025-9-21 14:01:00