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RM180N30DFV	文件：2.21787 Mbytes Page：8 Pages	丝印：IN30；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mosfet Feature 30v,180A Rds on 文件：2.21787 Mbytes 页数：8 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM180N30DFV	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
FGA180N30D	文件：814.55 Kbytes Page：9 Pages	High Current Capability 文件：814.55 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGA180N30D	文件：758.97 Kbytes Page：9 Pages	300V PDP IGBT 文件：758.97 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGA180N30DTU	文件：814.55 Kbytes Page：9 Pages	High Current Capability 文件：814.55 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

技术参数

Id @ 25C (A)：
180 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
0.9 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
31 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
59 W
Vgs(th) (typ)：
1.7 V
Input Capacitance (Ciss)：
3800 pF
Polarity：
N-Channel
Mounting Style：
SMD/SMT
Package / Case：
DFN5X6
Certified (AEC-Q101...etc)：
AEC-Q101

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RM180N30DFV供应商更新时间2026-1-27 15:42:00

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