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RM130N150HD	文件：1.25673 Mbytes Page：5 Pages	丝印：130N150；Package：TO-263；N-Channel Trench MOSFET Features High frequency switching performance Extremely low RDS(ON), Ciss and Coss VDS≥150V RDS(ON)≦7.0mΩ@VGS=10V 文件：1.25673 Mbytes 页数：5 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM130N150HD	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
RM15TB-H	文件：0 bytes Page：0 Pages	模块	MITSUBISHI 三菱电机上传：深圳市毅创腾电子科技有限公司	MITSUBISHI
RM1695	文件：0 bytes Page：0 Pages	qfn-32	REDMERE 上传：深圳市科恒伟业电子有限公司	REDMERE
RM250UZ-24	文件：0 bytes Page：0 Pages	模块	MITSUBISH 上传：深圳市勤思达科技有限公司	MITSUBISH

技术参数

Id @ 25C (A)：
130 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
7.0 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
144 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
310 W
Vgs(th) (typ)：
3.5 V
Input Capacitance (Ciss)：
8910 pF
Polarity：
N-Channel
Mounting Style：
Through Hole
Package / Case：
TO-263(D2-PAK)

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更多RM130N150HD供应商更新时间2026-1-23 11:06:00

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