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RM130N150HD

丝印:130N150;Package:TO-263;N-Channel Trench MOSFET

Features High frequency switching performance Extremely low RDS(ON), Ciss and Coss VDS≥150V RDS(ON)≦7.0mΩ@VGS=10V

文件:1.25673 Mbytes 页数:5 Pages

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更多130N150供应商 更新时间2025-9-21 11:06:00