丝印：D5P40；Package：DFN5X6-8L；40V P-Channel Trench Power MOSFET

Features ●Low Gate Charge ●100% UIS Tested, 100% DVDS Tested ●High Power and current handing capability ●Lead free product is acquired ●VDS -40V, ID -135A RDS(ON)_TYP 3.1mΩ, QG 20 nC

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丝印：SS；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features VDS = 50V,ID = 0.22A RDS(ON)

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丝印：135N100；Package：TO-263-2L；N-Channel Super Trench Power MOSFET

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