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RM135P40DF

丝印:D5P40;Package:DFN5X6-8L;40V P-Channel Trench Power MOSFET

Features ●Low Gate Charge ●100% UIS Tested, 100% DVDS Tested ●High Power and current handing capability ●Lead free product is acquired ●VDS -40V, ID -135A RDS(ON)_TYP 3.1mΩ, QG 20 nC

文件:1.58966 Mbytes 页数:6 Pages

RECTRON

丽正国际

RM135P40DF

MOSFET

Rectron

丽正国际

RM15TB-H

MITSUBISHI
模块

Mitsubishi

三菱电机

上传:深圳市毅创腾电子科技有限公司

RM1695

REDMERE
qfn-32

REDMERE

RM250UZ-24

MITSUBISH
模块

MITSUBISH

技术参数

  • Id @ 25C (A):

    135 A

  • Rds-on (typ) (mOhms):

    3.1 mOhms

  • Total Gate Charge (nQ) typ:

    195 nQ

  • Maximum Power Dissipation (W):

    131 W

  • Input Capacitance (Ciss):

    10733 pF

  • Polarity:

    P-Channel

  • Mounting Style:

    SMD/SMT

  • Package / Case:

    DFN5X6

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更多RM135P40DF供应商 更新时间2025-10-9 14:01:00