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RM03P30S2E

丝印:03P30;Package:SOT23;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The RM03P30S2E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). General Features VDS =- 30V,I D =- 0.3A RDS(ON)

文件:207.54 Kbytes 页数:9 Pages

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更多RM03P30S2E供应商 更新时间2025-10-12 14:00:00